Infineon英飞凌_IPD33CN10N G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPD33CN10N G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

环保
提高效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品

特性

卓越的开关性能
全球最低的 R _DS(on)
低 Q _g 和 Q _gd
卓越的栅极电荷
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 级

应用

轻型电动车解决方案, 电信基础设施

参数

类型	描述
Ciss	1180 pF
Coss	175 pF
最高 ID (@25°C)	27 A
最高 IDpuls	108 A
最高 Ptot	58 W
QG (typ @10V)	18 nC
最高 RDS (on) (@10V)	33 mΩ
最高 RthJC	2.6 K/W
Rth	2.6 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
安装	SMT
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.33

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IPD33CN10N G

英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

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特性

应用

参数

4000-306-326