Infineon英飞凌_IPB065N10N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB065N10N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

环保
提高效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品

特性

卓越的开关性能
全球最低的 R_DS(on)
极低的 Q_g 和 Q_gd
卓越的栅极电荷 x R_DS(on) 乘积 (FOM)
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 评级为 2

参数

类型	描述
Ciss	3690 pF
Coss	646 pF
最高 ID (@25°C)	80 A
最高 IDpuls	320 A
最高 Ptot	150 W
QG (typ @10V)	51 nC
最高 RDS (on) (@10V)	6.5 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	1 K/W
Rth	1 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 3.5 V
VGS(th)	2.7 V
安装	SMD
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
预算价格€/1k	1.03

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IPB065N10N3 G

英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

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参数

4000-306-326