Infineon英飞凌_IRF250P225_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF250P225 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性
完全表征的电容和雪崩 SOA
增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅，符合 RoHS 标准

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	69 A
最高 Ptot	313 W
Qgd	12 nC
QG (typ @10V)	64 nC
最高 RDS (on) (@10V)	22 mΩ
最高 RthJC	0.48 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-247
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	3.18

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