Infineon英飞凌_IRF100P219_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF100P219 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强了门极、雪崩和动态 dv/dt 的耐用性
全面表征电容和雪崩 SOA
增强型体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅；符合 RoHS 标准；无卤素

应用

Battery energy storage (BESS), DIN 导轨电源解决方案, 电信基础设施, 单相串联逆变器解决方案, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	316 A
最高 Ptot	341 W
Qgd	40 nC
QG (typ @10V)	168 nC
最高 RDS (on)	1.7 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	1.7 mΩ
最高 RthJC	44 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	100 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-247
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.06

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