Infineon英飞凌_IRF200P223_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF200P223 产品介绍

2026-04-14 0次

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	100 A
最高 Ptot	313 W
Qgd	13 nC
QG (typ @10V)	68 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11.5 mΩ
最高 RthJC	0.48 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-247
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.62

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2026-04-14 304次

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IRF200P223

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

参数

4000-306-326

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