Infineon英飞凌_IRFB4137_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFB4137 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

标准引脚排列，可直接替换
高电流承载能力封装
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
提高功率密度
为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

特性

行业标准通孔功率封装
高额定电流
产品符合 JEDEC 标准
针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
与上一代硅片相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	38 A
最高 Ptot	341 W
Qgd	26 nC
QG (typ @10V)	83 nC
最高 RDS (on) (@10V)	69 mΩ
最高 RthJC	0.44 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	300 V
VGS(th) 范围	3 V 至 5 V
VGS(th)	4 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.46

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IRFB4137

IR MOSFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRFB4137

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