Infineon英飞凌_IRFB4229_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFB4229 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

采用标准引脚排列的直接替换
高电流承载能力封装
行业标准资质等级
高性能、低频率
提高功率密度
灵活选择最佳器件

特性

行业标准通孔封装
高额定电流
JEDEC 标准产品认证
100kHz 硅开关应用
比上一代产品更软的体二极管
广泛的产品组合

应用

汽车 LED 照明系统

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	46 A
最高 Ptot	330 W
Qgd	26 nC
QG (typ @10V)	72 nC
最高 RDS (on) (@10V)	46 mΩ
最高 RthJC	0.45 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	3 V 至 5 V
VGS(th)	4 V
最高 VGS	30 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-40 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.04

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IRFB4229

IR MOSFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IRFB4229

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4000-306-326

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