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BSC070N10NS5SC

现货,推荐

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V 采用 SuperSO8 DSC(双面冷却)封装,具有双面冷却的热优势和行业标准的尺寸。MOSFET 芯片产生的热量约有 30% 通过顶部传递,传递到 PCB 的热量较少,因此,在相同功率耗散的情况下,PCB 的运行温度更低,从而提高可靠性,或者 MOSFET 可以处理更多功率,从而实现更高的功率密度。

Infineon英飞凌 BSC070N10NS5SC 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 低损耗,高系统效率
  • 改善散热
  • 卓越的功率处理能力和更长的使用寿命
  • 直接替换 SuperSO8 和 PQFN 5x6

特性


  • 高性能硅技术
  • 低顶部 RthJC(0.72 K/W)
  • 封装额定 TJmax=175ºC
  • 行业标准尺寸
  • 兼容 SuperSO8 和 PQFN 5x6

应用


数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

82 A

最高 IDpuls

328 A

最高 Ptot

100 W

QG (typ @10V)

30 nC

最高 RDS (on) (@10V)

7 mΩ

最高 VDS

100 V

VGS(th) 范围

2.2 V 至 3.8 V

VGS(th)

3 V

安装

SMT

封装

SuperSO8 5x6 DSC

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

极性

N

特殊功能

Dual-Side Cooling

预算价格€/1k

0.92

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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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