Infineon英飞凌_IRFH5110_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFH5110 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

标准引脚排列，可直接替换
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
提高功率密度
为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

特性

行业标准表面贴装功率封装
产品符合 JEDEC 标准
针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
与上一代硅片相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	63 A
最高 Ptot	114 W
最高 Ptot (@ TA=25°C)	3.6 W
Qgd	15 nC
QG (typ @10V)	54 nC
最高 RDS (on) (@10V)	12.4 mΩ
最高 RthJC	1.1 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.53

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IRFH5110

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRFH5110

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