Infineon英飞凌_BSC080N12LS G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC080N12LS G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高功率密度的设计
更高的开关频率
采用 5V 电源减少零件数量
直接由微控制器驱动

降低系统成本

特性

小型封装，低 R_DS(on)
低栅极电荷
更低输出电荷
逻辑电平兼容性

应用

车载充电器（OBC）, 开关模式电源（SMPS）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	99 A
最高 IDpuls	394 A
最高 Ptot	156 W
QG (typ @10V)	79 nC
最高 RDS (on) (@10V)	8 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	9.5 mΩ
最高 VDS	120 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2.4 V
VGS(th)	1.85 V
安装	SMT
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.07

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BSC080N12LS G

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4000-306-326