Infineon英飞凌_BSC22DN20NS3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC22DN20NS3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率
最高功率密度
最低电路板空间消耗
所需设备并联最少

系统成本改进环保

特性

业界最低的 R _DS(on)
最低的 Qg 和 Qgd
最低的 FOM，符合 RoHS 标准 - MSL 1 级

应用

Battery energy storage (BESS)

参数

类型	描述
Ciss	320 pF
Coss	24 pF
最高 ID (@25°C)	7 A
最高 IDpuls	28 A
最高 Ptot	34 W
QG (typ @10V)	4.2 nC
最高 RDS (on) (@10V)	225 mΩ
Rth	3.7 K/W
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.33

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BSC22DN20NS3 G

英飞凌的 200V OptiMOS ™产品是性能领先的基准技术，非常适合 48V 系统中的同步整流、DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动器的逆变器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326