Infineon英飞凌_BSC670N25NSFD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC670N25NSFD 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高的系统可靠性
降低系统成本
最高的效率和功率密度
易于设计的产品

特性

提高了硬换向的耐用性
优化了硬开关行为
业界最低的R _ds(on)
符合RoHS标准 - 无卤素

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	24 A
最高 IDpuls	96 A
最高 Ptot	150 W
Qgd	2.9 nC
QG (typ @10V)	22 nC
最高 RDS (on) (@10V)	67 mΩ
最高 RthJA	50 K/W
最高 RthJC	1 K/W
Rth	0.6 K/W
最高 VDS	250 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
特殊功能	Fast Diode
预算价格€/1k	1.31

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BSC670N25NSFD

OptiMOS ™快速二极管 (FD) 200V、250V 和 300V 针对体二极管硬换向进行了优化。OptiMOS™ FD 系列 MOSFET 是电信、工业电源、D 类音频放大器、电机控制和 DC-AC 逆变器等硬开关应用的完美选择。

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4000-306-326