Infineon英飞凌_IRLH5030_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRLH5030 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

采用标准引脚排列的直接替换
行业标准资质等级
高性能、低频率
提高功率密度
灵活选择最佳器件

特性

标准表面贴装功率封装
符合 JEDEC 标准
低于 100 kHz 的开关应用
更软的体二极管
提供广泛的产品组合

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	13 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	3.6 W
Qgd	22 nC
QG (typ @4.5V)	44 nC
最高 RDS (on) (@10V)	9 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	9.9 mΩ
最高 RthJC	0.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.5 V
VGS(th)	1.75 V
最高 VGS	16 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.88

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IRLH5030

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRLH5030

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

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4000-306-326

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