Infineon英飞凌 BSZ42DN25NS3 G 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 最高效率
- 最高功率密度
- 最低电路板空间消耗
- 所需器件并联数量最少
- 系统成本改进
- 环保
- 易于设计的产品
特性
- 业界最低的 R DS(on)
- 最低的 Qg 和 Qgd
- 最低的 FOM,符合 RoHS 标准 - MSL 1 级
参数
类型 | 描述 |
Ciss | 320 pF |
Coss | 21 pF |
最高 ID (@25°C) | 5 A |
最高 IDpuls | 20 A |
最高 Ptot | 33.8 W |
QG (typ @10V) | 4.2 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 425 mΩ |
Rth | 3.7 K/W |
最高 VDS | 250 V |
VGS(th) 范围 | 2 V 至 4 V |
VGS(th) | 3 V |
封装 | PQFN 3.3 x 3.3 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 150 °C |
极性 | N |
预算价格€/1k | 0.42 |



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