Infineon英飞凌_IPI076N15N5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPI076N15N5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

减少并联
更高功率密度的设计
更坚固的产品
降低系统成本
改善 EMI 行为

特性

坚固的 FOMgd 和 FOMoss，具有较低的 R_DS(on)
较低的输出电荷
超低反向恢复电荷
提高换向坚固性
可实现更高的开关频率

参数

类型	描述
Ciss	3600 pF
Coss	900 pF
最高 ID (@25°C)	112 A
最高 IDpuls	448 A
最高 Ptot	214 W
Qgd	10 nC
QG (typ @10V)	49 nC
最高 RDS (on) (@10V)	7.6 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.7 K/W
Rth	0.7 K/W
最高 VDS	150 V
VGS(th) 范围	3 V 至 4.6 V
VGS(th)	3.8 V
安装	THT
封装	I2PAK (TO-262)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
预算价格€/1k	1.99

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IPI076N15N5

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