Infineon英飞凌_IRF135SA204_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF135SA204 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
标准引脚排列允许直接替换
高功率密度

特性

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
行业标准表面贴装功率封装
与 D2PAK（相同芯片尺寸）相比，额定电流更高（高出 23%）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	160 A
最高 Ptot	500 W
Qgd	57 nC
QG (typ @10V)	210 nC
最高 RDS (on) (@10V)	5.9 mΩ
最高 RthJC	0.3 K/W, 175 K/W
最高 VDS	135 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	2.95

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IRF135SA204

英飞凌最新的 135 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件为电池供电应用提供低 RDS(on)、稳健性、可靠性和成本效益。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。

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特性

参数

4000-306-326