Infineon英飞凌_IPB110N20N3LF_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB110N20N3LF 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

坚固的线性模式操作
低传导损耗
更快的启动速度和更高的浪涌电流

特性

R _DS(on) 和宽 (SOA)
高最大值。脉冲电流
高连续脉冲电流

应用

空间功率应用, Battery energy storage (BESS)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	88 A
最高 IDpuls	352 A
最高 Ptot	250 W
Qgd	51 nC
QG (typ @10V)	76 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.5 K/W
Rth	0.3 K/W
最高 VDS	200 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 4.2 V
VGS(th)	3.2 V
安装	SMD
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
特殊功能	Wide SOA
预算价格€/1k	2.95

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IPB110N20N3LF

OptiMOS ™线性 FET 是一种革命性的方法，可以避免导通电阻 (R DS(on)) 和线性模式能力之间的权衡——在增强模式 MOSFET 的饱和区内运行。它提供了沟槽 MOSFET 的最先进的 R DS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326