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BSC014N04LS

现货,推荐

英飞凌的 40V 和 60V 产品系列不仅具有业界最低的 R DS(on),而且还具有适合快速开关应用的完美开关行为。与其他器件相比,通过先进的薄晶圆技术,R DS(on) 降低了 15%,品质因数 (R DS(on) x Q g) 降低了 31%。

Infineon英飞凌 BSC014N04LS 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 最高的系统效率
  • 更少的并联需求
  • 更高的功率密度
  • 降低系统成本
极低的电压过冲

特性


  • 针对同步整流进行了优化
  • 比其他产品低 15% 的 RDSon
  • 比同类产品高 31% 的 FOM
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 级

应用


智能驾驶域控制器, 消费类电子产品, Battery energy storage (BESS), DIN 导轨电源解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC)

参数


类型

描述

Ciss

4300 pF

Coss

1200 pF

最高 ID (@25°C)

176 A

最高 IDpuls (@25°C)

820 A

最高 Ptot

96 W

QG (typ @10V)

61 nC

QG (typ @4.5V)

31 nC

最高 RDS (on) (@10V)

1.4 mΩ

最高 RDS (on) (@4.5V)

1.9 mΩ

最高 RDS (on) (@4.5V LL)

1.9 mΩ

Rth

1.3 K/W

最高 VDS

40 V

VGS(th) 范围

1.2 V 至 2.2 V

VGS(th)

1.42 V

封装

SuperSO8 5x6

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

极性

N

特殊功能

Logic Level

预算价格€/1k

0.5

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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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