Infineon英飞凌_BSC004NE2LS5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC004NE2LS5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率
SuperSO8 中功率密度最高
降低整体系统成本

特性

一流的导通电阻
基准开关性能
符合 RoHS 标准且无卤素
针对 Oring 电路进行了优化

应用

DIN 导轨电源解决方案, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	479 A
最高 IDpuls	1914 A
最高 Ptot	188 W
QG (typ @4.5V)	135 nC
QG (typ @10V)	238 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.45 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	0.85 mΩ
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2 V
VGS(th)	1.5 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Fused leads
预算价格€/1k	0.73

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BSC004NE2LS5

凭借这款 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 25V，英飞凌可提供基准解决方案，无论是在待机状态还是全速运行状态下，均可实现最高的功率密度和能源效率。采用 SuperSO8 封装的 BSC004NE2LS5 提供 0.45mOhm 的 BiC RDS(on) 。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326