Infineon英飞凌_IRLML2030_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRLML2030 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

采用标准引脚排列的直接替换
行业标准资质等级
高性能、低频率
提高功率密度

特性

标准表面贴装电源封装
符合 JEDEC 标准
低于 100 kHz 的开关应用
更软的体二极管

应用

汽车热管理, 无线电动工具, 家庭娱乐应用的半导体解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	2.7 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	1.3 W
Qgd	0.34 nC
QG (typ @4.5V)	1 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	154 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	100 mΩ
最高 RthJA	100 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.3 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	SOT-23
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
特殊功能	Logic Level, Small Power
预算价格€/1k	0.05

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IRLML2030

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IRLML2030

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