Infineon英飞凌_IQE013N04LM6CG_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE013N04LM6CG 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高电流能力
更有效地利用 PCB 面积
最高的功率密度和性能
用于 MOSFET 并联的中心栅极

特性

R_DS(on) 降低高达 25%
RthJC 的卓越热性能
优化的布局可能性
标准和中心栅极占位面积

应用

48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	205 A
最高 IDpuls	820 A
最高 Ptot	107 W
QG (typ @4.5V)	20 nC
QG (typ @10V)	41 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.35 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1.9 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Center-Gate
预算价格€/1k	0.75

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IQE013N04LM6CG

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