Infineon英飞凌_IQE004NE1LM7_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE004NE1LM7 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高比率 DC-DC 转换的最佳适配
降低传导损耗
高效率
最佳开关性能
标准栅极，易于布局适配

特性

全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
R_DS(on) 为 0.45 mOhm
出色的 FOMQ_OSS/FOMQ_g
超低封装寄生
标准栅极

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	379 A
QG (typ @4.5V)	29 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	0.57 mΩ
最高 VDS	15 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Switching optimized
预算价格€/1k	0.82

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IQE004NE1LM7

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