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Infineon英飞凌 IQDH45N04LM6CG 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 最小化传导损耗
- 降低电压过冲
- 提高最大电流能力
- 快速开关
- 减少器件并联
- 中心栅极实现最佳并联
- 5x6 mm² PCB 上最低的 RDS(on)
- 增强的热管理
- 最小的寄生效应，最佳的开关
- 行业标准封装
特性
- OptiMOS ™ 40 V，具有出色的 FOM
- 具有散热功能的 Source-Down 封装
- 具有最大化芯片比的 Source-Down 封装
- 采用中心栅极封装的 Source-Down 封装
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 637 A |
最高 IDpuls | 2548 A |
QG (typ @4.5V) | 62 nC |
QG (typ @10V) | 129 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 0.45 mΩ |
最高 RDS (on) (@4.5V) | 0.58 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 1.3 V 至 2.3 V |
VGS(th) | 1.6 V |
封装 | PQFN 5x6 Source-Down |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
极性 | N |
特殊功能 | Logic Level, Center-Gate |
预算价格€/1k | 1.45 |
