Infineon英飞凌_IPD135N03L G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPD135N03L G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改善 EMI，无需缓冲器
节省成本
节省空间
减少功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
最低导通电阻
易于设计

应用

汽车仪表盘

参数

类型	描述
Ciss	770 pF
Coss	350 pF
最高 ID (@25°C)	30 A
最高 IDpuls	210 A
最高 Ptot	31 W
QG (typ @10V)	10 nC
QG (typ @4.5V)	4.8 nC
最高 RDS (on) (@10V)	13.5 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	20.5 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	20.5 mΩ
Rth	4.9 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.2

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IPD135N03L G

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4000-306-326