Infineon英飞凌_BSZ050N03MS G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ050N03MS G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改善 EMI 行为
节省成本
节省空间
减少功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
最低导通电阻
易于设计

参数

类型	描述
Ciss	2700 pF
Coss	800 pF
最高 ID (@25°C)	80 A
最高 IDpuls	320 A
最高 Ptot	48 W
QG (typ @10V)	34 nC
QG (typ @4.5V)	17 nC
最高 RDS (on) (@10V)	4.5 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	5.7 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	5.7 mΩ
最高 RthJC	2.5 K/W
Rth	2.5 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2 V
VGS(th)	1.52 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.2

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BSZ050N03MS G

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