Infineon英飞凌_BSZ0503NSI_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ0503NSI 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高效率
采用 PQFN 3.3x3.3 实现最高功率密度
降低整体系统成本
在高开关频率下运行

特性

一流的导通电阻
基准开关性能
符合 RoHS 标准且无卤素
优化的 EMI 行为

应用

48 V 中间总线转换器 (IBC)

参数

类型	描述
Ciss	960 pF
Coss	330 pF
最高 ID (@25°C)	82 A
最高 IDpuls	328 A
最高 Ptot	36 W
QG (typ @4.5V)	7.1 nC
QG (typ @10V)	15 nC
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	4.2 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	4.2 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	3.4 mΩ
最高 RthJA	60 K/W
最高 RthJC	3.5 K/W
Rth	3.5 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.85 V
安装	SMD
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
特殊功能	Logic Level, Monolithically Integrated Schottky-like Diode
预算价格€/1k	0.3

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BSZ0503NSI

凭借 OptiMOS ™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌可提供基准解决方案，在待机和满载运行条件下实现最高功率密度和能源效率。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326