Infineon英飞凌_ISK057N04LM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISK057N04LM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最大化性能、功率密度
高效的热管理、低损耗
外形尺寸改进节省成本
高效的零件布局
高可靠性、环保

特性

业界最低的 R_DS(on)
改进的封装带来低寄生效应
PQFN 2x2 的卓越热阻
超小型封装，尺寸最佳
脉冲电流能力高达 254 A
100% 雪崩测试，符合 RoHS 标准

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	64 A
最高 IDpuls	254 A
QG (typ @10V)	9.7 nC
QG (typ @4.5V)	4.7 nC
最高 RDS (on) (@10V)	5.75 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	8.3 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.3 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.8 V
封装	PQFN 2 x 2 (DFN2020)
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.22

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ISK057N04LM6

凭借全新一流的 OptiMOS ™ 6 产品系列，英飞凌提供了小尺寸效率的基准解决方案，使其成为无线充电、负载开关和低功耗 DCDC 应用等应用的完美解决方案。4 mm2 的小尺寸与出色的电气性能相结合，有助于改善最终应用的尺寸。

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特性

参数

4000-306-326