Infineon英飞凌_ISK018NE1LM7_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISK018NE1LM7 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高比率 DC-DC 转换的最佳匹配
降低传导损耗
高效率
最佳开关性能
显著节省空间

特性

全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
R_DS(on) 为 2.15 mOhm
Q_g 为 9 nC，Q_OSS 为 8.9 nC
超低封装寄生参数
小封装外形

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	129 A
QG (typ @4.5V)	7.5 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	2.15 mΩ
最高 VDS	15 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
封装	PQFN 2 x 2 (DFN2020)
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Switching optimized
预算价格€/1k	0.37

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ISK018NE1LM7

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