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Infineon英飞凌 ISCH42N04LM7 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 最适合 BMS 应用
- 更少的能量损失/最高的功率密度
- 轻松集成，实现无缝兼容
- 提高可靠性和稳健性
特性
- PQFN 5x6 封装中的 BiC 40 V 功率 MOSFET
- 出色的 RDS(on)
- 行业标准足迹
- 宽阔的安全操作区域
应用
电池管理系统（BMS）, 开关模式电源（SMPS）
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 541 A |
最高 IDpuls | 2164 A |
QG (typ @10V) | 156 nC |
QG (typ @4.5V) | 79 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 0.42 mΩ |
最高 RDS (on) (@4.5V) | 0.59 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 1.2 V 至 1.8 V |
VGS(th) | 1.5 V |
封装 | SuperSO8 5x6 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
极性 | N |
特殊功能 | Logic Level, Rds(on) optimized |
预算价格€/1k | 1.25 |
