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ISC015N03LF2S

现货,推荐

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 SuperSO8 5x6 封装,具有一流的 1.5 mOhm RDS(on)。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比,ISC015N03LF2S 实现了高达 40% 的 RDS(on) 改善,同时实现了高达 60% 的 FOM 增强和出色的稳健性。

Infineon英飞凌 ISC015N03LF2S 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 适用于广泛的应用
  • 可靠的性能
  • 高品质和有竞争力的价格
  • 便捷的选择和购买
  • 易于设计
  • 简化的产品服务

特性


  • 通用产品
  • 出色的稳健性
  • 卓越的性价比
  • 分销商处广泛供应
  • 标准封装和引脚分配
  • 高制造和供应标准

应用


消费类电子产品, USB-C 充电器和适配器, 多旋翼飞机和无人机, 电动工具, 无线电动工具, 工业电机驱动和控制, 电池管理系统(BMS), 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

214 A

QG (typ @4.5V)

24 nC

QG (typ @10V)

50 nC

最高 RDS (on) (@4.5V)

2.6 mΩ

最高 RDS (on) (@10V)

1.5 mΩ

最高 VDS

30 V

VGS(th) 范围

1.35 V 至 2.35 V

VGS(th)

1.85 V

封装

SuperSO8 5x6

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

极性

N

特殊功能

Logic Level

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    2026-04-14 304次
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