Infineon英飞凌_BSC150N03LD G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSC150N03LD G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改进的 EMI 使得外部缓冲器不再适用
节省成本
节省空间
降低功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
最低导通电阻
易于设计

参数

类型	描述
Ciss	850 pF
Coss	350 pF
最高 ID (@25°C)	20 A
最高 IDpuls	80 A
最高 Ptot	26 W
QG (typ @4.5V)	4.8 nC
QG (typ @10V)	10 nC
最高 RDS (on) (@10V)	15 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	22 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	22 mΩ
最高 RthJC	4.9 K/W
Rth	4.9 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.74 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N+N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.28

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BSC150N03LD G

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