Infineon英飞凌_BSZ009NE2LS5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ009NE2LS5 产品介绍

2026-04-14 0次

参数

类型	描述
最高 ID (@ TC=25°C)	223 A
最高 ID (@25°C)	223 A
最高 IDpuls	892 A
最高 Ptot	69 W
QG (typ @10V)	92 nC
QG (typ @4.5V)	52 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.9 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1.2 mΩ
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.6 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
特殊功能	Logic Level, ORing/Efuse
预算价格€/1k	0.58

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BSZ009NE2LS5

英飞凌扩展了其高性能 MOSFET 产品组合，推出采用小型 PQFN 3.3x3x3 毫米封装的 BSZ009NE2LS5 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET。该器件在 10V 时提供业界最低的 RDS(on) 0.9mΩ，主要针对 Or-ing 和负载开关应用。

参数

4000-306-326