Infineon英飞凌_IQFH47N04NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQFH47N04NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最小化传导损耗
高功率能力
卓越的设备性能
降低电压过冲
卓越的热性能
重复使用电路板以实现多个功率级别
卓越的开关性能/EMI

特性

尖端 OptiMOS ™硅技术
高芯片/封装比
紧凑尺寸，超高电流
超低封装寄生效应
优化的引线框架和 Cu-Clip 设计
封装与 PQFN 5x6 兼容
布局紧凑，并行度较低

应用

轻型电动车解决方案, 电动自行车解决方案, 多旋翼飞机和无人机, 电动工具, 机器人, 电池管理系统（BMS）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	507 A
最高 IDpuls	2028 A
QG (typ @10V)	147 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.47 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.8 V 至 2.8 V
VGS(th)	2.3 V
封装	PQFN 8x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.19

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IQFH47N04NM6

IQFH47N04NM6

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