Infineon英飞凌_ISG0613N04NM6H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISG0613N04NM6H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最小化传导损耗
降低电压过冲
高功率能力
卓越的热性能
最低环路电感
卓越的开关性能/EMI

特性

尖端 OptiMOS ™硅技术
出色的 FOM
高芯片/封装比
优化的引线框架和铜夹设计
内部连接的 Q1/Q2 MOSFET
紧凑而简化的布局设计

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	299 A
QG (typ @10V)	69 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.88 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.8 V 至 2.8 V
VGS(th)	2.3 V
封装	Power Block 6.3x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Symmetrical Half-bridge
预算价格€/1k	1.59

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ISG0613N04NM6H

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