Infineon英飞凌_IPC028N03L3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC028N03L3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

通过减少转换器相数来降低成本
最高效率
采用 S3O8 和 CanPAK ™ ，结构紧凑，功能强大
易于设计
5V 系统轨，性能卓越

特性

一流的导通电阻
基准开关性能
低栅极电阻
卓越的 5V 栅极驱动性能
优化的 EMI 行为
效率提高 2% 以上

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	60 mJ
最高 RDS (on) (@10V)	50 mΩ
RDS (on)	5 mΩ
最高 VBRDSS	30 V
VDS	30 V
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
厚度	175
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	1.24 mm² 至 2.26 mm²
芯片尺寸 (Area)	2.80 mm²
芯片尺寸 (Y)	2.26 mm
芯片尺寸 (X)	1.24 mm
输出驱动器	1

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IPC028N03L3

凭借全新 OptiMOS ™ 30V 产品系列，英飞凌为分立功率 MOSFET 的功率密度和能效树立了新标准。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为来满足笔记本电脑电源管理的需求，并延长了电池寿命。

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4000-306-326