Infineon英飞凌_IPC022N03L3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC022N03L3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

通过减少多相转换器中的相数来节省总体系统成本
最高效率
采用 S3O8 和 CanPAK ™实现最小占用空间和最高功率密度
易于设计
可由 5V 系统轨驱动，性能卓越

特性

一流的导通电阻
由于 R _on x Q _g 和 R _on x Q _gd 的最低品质因数，实现了基准开关性能
低栅极电阻
出色的 5V 栅极驱动性能
基于集成阻尼网络优化的 EMI 行为
超级势垒二极管可将效率提高 2% 以上。

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	50 mJ
RDS (on)	5.3 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	50 mΩ
最高 VBRDSS	30 V
VDS	30 V
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
厚度	175
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	1.05 mm² 至 2.1 mm²
芯片尺寸 (Area)	2.2 mm²
芯片尺寸 (Y)	2.1 mm
芯片尺寸 (X)	1.05 mm
输出驱动器	1

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IPC022N03L3

凭借全新 OptiMOS ™ 30V 产品系列，英飞凌为分立功率 MOSFET 的功率密度和能效树立了新标准。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。

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参数

4000-306-326