Infineon英飞凌_IRF8313_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF8313 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
低 RDS(on)
4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
极低的栅极电荷
双 N 沟道 MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@ TA=25°C)	9.7 A, 9.7 A
最高 ID (@ TA=70°C)	8.1 A, 8.1 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	2.2 nC
QG	6 nC
最高 RDS (on) (@10V)	15.5 mΩ
最高 RDS (on)	15.5 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	21.6 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	30 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
极性	N+N, N+N
湿度敏感等级	1

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IRF8313

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