Infineon英飞凌_IRFHM8363_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFHM8363 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
低 RDS(on)
低轮廓（小于 1.1 毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
合格的 MSL1
双 N 沟道 MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@ TA=25°C)	11 A, 11 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.7 W
Qgd (typ)	2 nC
QG	15 nC
最高 RDS (on)	14.9 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	20.4 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	14.9 mΩ
最高 RthJA	47 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
最高 VGS	20 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
极性	N+N, N+N
湿度敏感等级	1

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IRFHM8363

IRFHM8363

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