Infineon英飞凌_IRFHM830_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFHM830 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分布广泛
行业标准资质水平
采用标准引脚排列的直接替换
外形小巧

特性

针对最广泛的可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 认证
行业标准表面贴装封装
高 RDS(on) SO8 的替代品

应用

电信基础设施

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	40 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.7 W
最高 Ptot	37 W
Qgd	5 nC
QG (typ @4.5V)	15 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.8 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	6 mΩ
最高 RthJC	3.4 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.35 V 至 2.35 V
VGS(th)	1.8 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.35

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IRFHM830

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IRFHM830

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