Infineon英飞凌 BSC019N04NS G 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 最高的系统效率
- 更少的并联需求
- 更高的功率密度
- 降低系统成本
特性
- 电荷 x RDS(on)乘积 (FOM)
- 低导通电阻 RDS(on)
- 非常适合快速开关应用
- 符合 RoHS 标准 - 无卤素
- MSL1 级
应用
电信基础设施
参数
类型 | 描述 |
Ciss | 6600 pF |
Coss | 1800 pF |
最高 ID (@25°C) | 204 A |
最高 IDpuls | 816 A |
最高 Ptot | 125 W |
QG (typ @10V) | 81 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 1.9 mΩ |
最高 RthJC | 1 K/W |
Rth | 1 K/W |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 2 V 至 4 V |
VGS(th) | 3 V |
封装 | SuperSO8 5x6 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 150 °C |
极性 | N |
预算价格€/1k | 0.47 |



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