Infineon英飞凌_IRFH8202_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFH8202 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
标准引脚排列，可直接替换
低频应用中的高性能

特性

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
行业标准表面贴装封装
针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	100 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	3.6 W
Qgd	17 nC
QG (typ @4.5V)	52 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.05 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1.85 mΩ
最高 RthJC	0.8 K/W
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1.35 V 至 2.35 V
VGS(th)	1.8 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.64

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IRFH8202

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRFH8202

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