Infineon英飞凌_BSO110N03MS G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSO110N03MS G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改进的 EMI 使得外部缓冲器不再适用
节省成本
节省空间
降低功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
最低导通电阻
易于设计

应用

高性能驾驶舱控制器, 适用于智能电视的完整系统解决方案

参数

类型	描述
Ciss	1100 pF
Coss	390 pF
最高 ID (@25°C)	12.1 A
最高 IDpuls	85 A
最高 Ptot	2.5 W
QG (typ @4.5V)	7.2 nC
QG (typ @10V)	15 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	13.9 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	13.9 mΩ
Rth	35 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2 V
VGS(th)	1.57 V
封装	SO-8
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.25

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BSO110N03MS G

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