Infineon英飞凌_BSZ088N03LS G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ088N03LS G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命
改善 EMI 行为，无需外部缓冲网络
节省成本
节省空间
降低功率损耗

特性

超低栅极和输出电荷
小尺寸封装中最低的导通电阻
易于设计

参数

类型	描述
Ciss	1300 pF
Coss	510 pF
最高 ID (@25°C)	40 A
最高 IDpuls	160 A
最高 Ptot	35 W
QG (typ @10V)	16 nC
QG (typ @4.5V)	7.5 nC
最高 RDS (on) (@10V)	8.8 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	13 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	13 mΩ
最高 RthJC	3.6 K/W
Rth	3.6 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.71 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.27

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BSZ088N03LS G

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