Infineon英飞凌_IRF6620_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF6620 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
高载流能力
最佳热性能
紧凑的外形
高效率
环保

特性

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双面冷却能力
封装高度低至 0.7 毫米
低寄生 (1-2 nH) 电感封装
100% 无铅（无 RoHS 豁免）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	150 A
最高 Ptot	89 W
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.8 W
Qgd	8.8 nC
QG (typ @4.5V)	28 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.7 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	3.6 mΩ
最高 RthJC	1.4 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	20 V
VGS(th) 范围	1.55 V 至 2.45 V
VGS(th)	2 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	DirectFET(M)
微型模板	IRF66MX-25
极性	N
湿度敏感等级	1

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IRF6620

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRF6620

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