Infineon英飞凌_IRFB7437_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFB7437 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高电流承载能力封装
行业标准资质等级
高性能、低频率
提高功率密度
采用标准引脚排列的直接替换
灵活地选择最佳器件

特性

高额定电流
产品合格。符合 JEDEC 标准
针对 <100 kHz 开关进行优化的硅片
与上一代硅片相比，体二极管更软
行业标准通孔功率封装

提供广泛的产品组合

应用

无线电动工具, 离线式 UPS — 高频变压器

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	195 A
最高 Ptot	230 W
Qgd	51 nC
QG (typ @10V)	150 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2 mΩ
最高 RthJC	0.65 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.9 V
VGS(th)	3 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.53

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IRFB7437

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IRFB7437

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