Infineon英飞凌_IRL40B212_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRL40B212 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高电流承载能力封装
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
提高功率密度
标准引脚排列允许直接替换
为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

特性

高额定电流
产品符合 JEDEC 标准
针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
与上一代硅片相比，体二极管更软
行业标准通孔功率封装
广泛的产品组合

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	254 A
最高 Ptot	231 W
Qgd	46 nC
QG (typ @4.5V)	91 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.9 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	2.4 mΩ
最高 RthJC	0.65 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.4 V
VGS(th)	1.7 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-220
极性	N
预算价格€/1k	0.97

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IRL40B212

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRL40B212

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

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