Infineon英飞凌_BSZ0910ND_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ0910ND 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低开关损耗
高开关频率工作
最低寄生效应
低工作温度
低栅极驱动损耗
RoHS 6/6 无铅产品

特性

对称半桥，具有极低的 R_DS(on)，采用小型 3.0 x 3.0mm 封装
裸露焊盘
逻辑电平（额定电压 4.5V）
符合 RoHS 标准的 6/6（完全无铅）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	25 A
最高 IDpuls	40 A
最高 Ptot	31 W
Qgd	1 nC
QG (typ @10V)	8.2 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	13 mΩ
最高 RthJA	65 K/W
最高 RthJC	4 K/W
Rth	4 K/W
最高 VDS	30 V
VGS(th)	1.6 V
安装	SMD
封装	Symmetrical Dual 3x3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
预算价格€/1k	0.43

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BSZ0910ND

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