Infineon英飞凌_BSZ018NE2LSI_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ018NE2LSI 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

通过减少多相转换器中的相数来节省整体系统成本
降低功率损耗并提高所有负载条件下的效率
使用最小封装（如 CanPAK ™ 、S3O8 或系统级封装解决方案）节省空间
最大限度地降低系统中的 EMI，使外部缓冲网络变得过时，并使产品易于设计

参数

类型	描述
Ciss	2500 pF
Coss	1100 pF
最高 ID (@25°C)	153 A
最高 IDpuls	612 A
最高 Ptot	69 W
QG (typ @4.5V)	17 nC
QG (typ @10V)	36 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.8 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	2.5 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	2.5 mΩ
Rth	1.8 K/W
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
VGS(th)	1.78 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Monolithically Integrated Schottky-like Diode
预算价格€/1k	0.55

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