Infineon英飞凌_IRLML0030PBF-1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRLML0030PBF-1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

标准引脚排列，可直接替换
行业标准资质水平
低频应用中的高性能
提高功率密度

特性

行业标准表面贴装功率封装
产品符合 JEDEC 标准
针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
与上一代硅片相比，体二极管更软

应用

Battery energy storage (BESS), DIN 导轨电源解决方案, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 48 V 中间总线转换器 (IBC), 电信基础设施

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	5.3 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	1.3 W
Qgd	1.1 nC
QG (typ @4.5V)	2.6 nC
最高 RDS (on) (@10V)	27 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	40 mΩ
最高 RthJA	100 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	1.3 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	SOT-23
极性	N
湿度敏感等级	1
特殊功能	Small Power

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IRLML0030PBF-1

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IRLML0030PBF-1

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

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4000-306-326

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