Infineon英飞凌_IRLHS6342_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRLHS6342 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
标准引脚排列允许直接替换
高功率密度

特性

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
行业标准表面贴装功率封装
小型封装，低 R_DS(on)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	19 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.1 W
Qgd	4.6 nC
QG (typ @4.5V)	11 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	15.5 mΩ
最高 RthJC	13 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	30 V
VGS(th) 范围	0.5 V 至 1.1 V
VGS(th)	0.8 V
最高 VGS	12 V
安装	SMD
封装	PQFN 2 x 2
极性	N
湿度敏感等级	1

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IRLHS6342

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRLHS6342

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